杭州富加镓业科技有限公司（简称"富加镓业"）(011)面氧化镓（Ga₂O₃）单晶衬底已具备稳定批量供应能力，可面向国内外科研机构及企业持续交付。这一进展标志着富加镓业在氧化镓衬底多晶面、多规格产品化布局上取得重要突破，进一步完善了公司的产品矩阵。

近日，国际光学旗舰期刊《Opto-Electronic Science》以封面论文形式，在线发表了一项关于氧化镓光电导开关（PCSS）的重磅研究成果，论文题为《Phonon-assisted absorption photoconductive switch》（声子辅助吸收的光电导开关）。

近日，位于杭州富春湾新城的杭州富加镓业科技有限公司首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，这一成果刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，也将为新能源汽车、新型储能、智能电网、数据中心等前沿技术领域的产业化进程提速。

“氧化镓单晶材料缺陷研究专题研讨会”在浙江杭州成功召开，富加镓业科技有限公司联合承办！

4月2日，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室（以下简称实验室）学术委员会成立暨第一次会议在上海临港召开。西安电子科技大学郝跃院士、浙江大学杨德仁院士、南京大学祝世宁院士等学术委员会专家，以及上海市科委、临港新片区相关负责同志、上海天岳半导体材料科技股份有限公司（以下简称上海天岳）、中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称上海光机所）及科研骨干代表参加会议。

2026年3月26日，杭州富加镓业科技有限公司（下称“富加镓业”）宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，为“十五五”规划开局之年的中国半导体产业投下了一颗重磅炸弹。而这一历史性突破的背后，是其早已构建的深厚技术护城河。

“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备8英寸氧化镓晶体后，再次取得的重大技术突破。这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

026年3月12日，第十四届全国人民代表大会第四次会议正式批准《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年（2026—2030年）规划纲要》（以下简称"十五五"规划）。在这份覆盖2026至2030年国家发展全局的战略蓝图（“十五五”规划纲要（草案））中，“新产业新赛道培育发展”专栏明确提出要“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。这一国家级战略部署，为第四代半导体材料的发展注入了强劲动力。