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富加镓业

致力于成为全球宽禁带半导体材料研发的领军企业

富加镓业科技有限公司成立于2019年12月，注册资金851.763万,坐落于美丽的杭州市富阳区，已获评国家高新技术企业。 公司专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发 ...

产品中心

PRODUCT CENTER

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010面-5mm×5mm
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UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(001) 双晶摇摆半高宽：≤150”

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Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(010) 双晶摇摆半高宽：≤350”

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掺杂：Sn 导电性：n 晶面：(100) 双晶摇摆半高宽：≤250”

010面-5mm×5mm

掺杂：Fe 晶面：(010) 双晶摇摆半高宽：≤350“

新闻中心

NEWS INFORMATION

深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜

近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子从价带跃迁到导带需要更多的能量，因此氧化镓具有耐高压（极强的临界场强）、高效率（更低导通电阻）、大功率、抗辐照等特性。基于氧化镓的功率电子器件在新能源汽车、轨道交通等领域具有潜在应用，且氧化镓的光电探测器在导弹预警、高压电网电晕检测等领域展现出重要的潜力

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