2026年4月23日，由民建浙江省委会、浙江省商会、中国投资发展促进会主办的第十届万物生长大会在杭州顺利举办。会上，杭州市创业投资协会联合微链、杭州银行正式发布了《2026杭州独角兽与准独角兽企业榜单》。凭借在第四代半导体氧化镓材料领域的突破性创新和产业化成果，杭州富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）成功入选该榜单，荣获新能源新材料领域“准独角兽企业”称号。同时，富加镓业还被评为“专精特新”准独角兽企业，彰显了公司在专业化、精细化、特色化、新颖化发展方面的卓越实力。

杭州富加镓业科技有限公司携展品亮相2026半导体新材料发展（德阳）大会，董事长齐红基受邀作题为《第四代半导体氧化镓产业化之浅见》专题报告。

2026年4月2日，浙江卫视以《浙江省内唯一！科学家创业为何钟爱这家孵化器》为题，深度报道了杭州光学精密机械研究所（以下简称"杭州光机所"）的科技企业孵化成果，并重点聚焦了我司——杭州富加镓业科技有限公司在氧化镓单晶领域取得的重大突破。报道播出后，引发社会各界广泛关注，公司上下倍感振奋。

2026年3月31日，九峰山实验室传来振奋人心的捷报：其团队成功研制出击穿电压超过9000V（实测9.02 kV）的氧化镓横向MOSFET【突破9000V！九峰山实验室刷新氧化镓MOSFET耐压纪录】。在多数公开报道还停留在4000V以下的今天，这一成果以"翻倍式"的跨越，一举刷新了氧化镓耐压世界纪录，标志着我国在超高压氧化镓功率器件技术领域正式迈入国际先进行列。

2026年3月25-27日，全球规模最大、规格最高的半导体行业展会——SEMICON CHINA 2026在上海新国际博览中心正式启幕。杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）作为宽禁带半导体技术创新联盟理事单位，携系列氧化镓核心产品在联盟展位重磅亮相，并于展会期间隆重发布全球首颗12英寸氧化镓单晶，吸引了半导体产业链各界人士的高度关注。

“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备8英寸氧化镓晶体后，再次取得的重大技术突破。这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

第二届氧化镓产业与技术研讨会定档杭州富阳，围绕 “性能提升” “降本增效” “解锁应用新市场” 等核心议题，汇聚国内外氧化镓领域的专家学者、企业代表，共同探讨技术前沿，分享产业经验，共谋发展大计。

杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）联合上海功成半导体科技有限公司（以下简称“功成半导体”），围绕第四代半导体氧化镓产业化核心技术开展 “材料-器件-应用” 全产业链协同攻关，目前已进入器件验证阶段。