富加镓业亮相FINE 2026先进半导体展

2026年6月10日至12日，2026未来产业新材料博览会（FINE 2026）在上海新国际博览中心盛大举办。杭州富加镓业科技有限公司（简称"富加镓业"）携多款氧化镓材料及相关产品亮相N1馆先进半导体展区，吸引众多产业界上下游人士驻足交流和洽谈合作。

富加镓业携产品亮相FINE2026

展会期间，中国科学院上海光机所研究员齐红基，同时兼任富加镓业董事长，在论坛发表题为《氧化镓产业化思考——12英寸氧化镓单晶技术突破助力产业落地》的主题演讲，围绕氧化镓从材料到器件的全链条产业化路径展开深度分享，不仅介绍了团队在12英寸氧化镓单晶制备技术方面的突破，而且展示了第三方权威机构测试的单晶材料性能，凸显富加镓业在大尺寸及高质量单晶方面取得的国际领先成果。同时，分享了采用MOCVD技术制备的10um以上厚膜国际领先的迁移率性能及相关下游器件客户的验证结果。

齐红基研究员分享报告

他指出，“降成本，提性能”是实现氧化镓全链路产业化的关键。为此，团队自主研发"AI一键长晶"技术及装备，实现了晶体生长过程的全程智能化控制，晶体合格率提升90%以上；在国际上率先制备出第一颗12英寸氧化镓单晶，刷新全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录；基于机器学习的MOCVD外延工艺参数优化系统，实现了载流子浓度精确可控（10¹⁶—10¹⁹ cm⁻³）及高迁移率；自主研发生产的同质外延片助力九峰山实验室横向MOSFET器件实现9000V耐压突破，刷新氧化镓耐压世界纪录；深度参与合作的声子辅助吸收光电导开关（中山大学牵头）实现高达98.93%的电压转换效率。上述技术突破和成果落地，为下游器件制造商提供了从衬底到外延的高质量、高一致性整体解决方案，相信不远的将来，氧化镓产业将迎来收获的季节。

本次参展期间，公司与多家产业链上下游机构达成了合作意向，进一步拓展了富加镓业在国内外市场的影响力与合作网络。

产品介绍

氧化镓设备：

公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-8英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了12英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

氧化镓单晶衬底：

作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-8英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。

氧化镓外延片：

基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。