加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展。”
2026年3月12日，第十四届全国人民代表大会第四次会议正式批准《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年（2026—2030年）规划纲要》（以下简称"十五五"规划）。
在这份覆盖2026至2030年国家发展全局的战略蓝图（“十五五”规划纲要（草案））中，“新产业新赛道培育发展”专栏明确提出要“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。这一国家级战略部署，为第四代半导体材料的发展注入了强劲动力。
作为国内领先的超宽禁带半导体材料企业，富加镓业始终站在技术创新的前沿。氧化镓（β-Ga₂O₃）凭借其超大禁带宽度和极高的击穿场强成为下一代功率器件的重要候选材料，与"十五五"规划重点部署的新能源汽车、新型储能、智能电网、节能降碳等方向高度契合，将成为提升能源转换效率、降低系统损耗的关键技术基石。
目前，富加镓业在氧化镓单晶衬底及外延片制备方面已取得重大突破，不仅成功掌握了低成本、大尺寸的垂直布里奇曼法（VB法）晶体生长技术，更在持续推进外延片的技术攻关。未来，富加镓业将积极响应国家号召，深化产学研用协同创新，加速氧化镓材料在集成电路与新能源领域的规模化应用，助力我国在全球超宽禁带半导体赛道上实现领跑。
产品介绍
氧化镓设备：
公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。
氧化镓单晶衬底：
作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-6英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。
氧化镓外延片：
基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。
企业简介
杭州富加镓业科技有限公司
公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获CCTV1、CCTV2、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总： 2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得 ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雏鹰”企业；在氧化镓领域，正牵头起草氧化镓领域首个国家标准，并承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权14项（美国 6 项，日本7项，欧洲1项），国内专利授权42项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）5项。