杭州富加镓业科技有限公司始终坚持产业化导向，继突破导模法（EFG）6英寸氧化镓单晶生长技术后，近日公司氧化镓衬底加工技术取得突破性进展，6英寸氧化镓衬底的表面粗糙度、翘曲度等指标达到同等尺寸碳化硅衬底标准，并在2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会上展出。

浙江省经济和信息化厅正式公布了“2024年第一批浙江省专精特新中小企业名单”。杭州富加镓业科技有限公司凭借其出色的技术实力与创新能力，成功通过了严格的审核认定，成为浙江省氧化镓行业首家具有此殊荣的企业。

近日，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）在第一轮器件验证基础上（相关新闻可点击链接：氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证），优化MBE外延工艺，大幅提升外延片性能，基于此外延片研制的MOSFET横向功率器件，电流密度提升78.3%，比导通电阻下降约50%，使其具备显著国际竞争优势。上述工作得到国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持（项目编号：2022YFB3605500）。

在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）提供的分子束外延（MBE）制备氧化镓薄膜的电输运性质，并与日本及美国科研团队成果进行比对，结果表明富加镓业所生长的氧化镓 MBE 外延片电学性能与国外最高水平相当。另外，与中科院上海光机所团队合作，结合变温电输运性质和高分辨光电子能谱技术研究了 Sn 掺杂激活机制和缺陷态微观信息，为进一步优化掺杂策略和器件性能提供了指导，相关研究结果 ...

近日，富加镓业氧化镓单晶生长装备打响新年销售“第一枪”，为氧化镓行业的发展注入新活力，迎来 2025 年的开门红，本次业务合作对象为国内一家知名半导体研发机构。这一合作不仅标志着富加镓业在半导体晶体生长装备领域的重大突破，也彰显了其致力于持续服务半导体行业的坚定决心，助力氧化镓领域全链路贯通。

富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。