9月4日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动会在杭州富阳顺利召开。
该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头，联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光学精密机械研究所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。
出席本次会议的专家有浙江大学杨德仁院士、长光华芯光电技术有限公司廖新胜正高级工程师、中国电子科技集团公司第四十六研究所林健研究员、中国科学技术大学龙世兵教授、电子科技大学罗小蓉教授、浙江大学盛况教授、中国航天科技集团公司第五研究院508所孙世君研究员、山东大学陶绪堂教授、中国科学院微电子研究所王鑫华研究员、中国科学院上海分院吴成铁研究员、南京大学叶建东教授、复旦大学周鹏教授。依托单位张龙副所长及项目和课题相关人员四十余人参会。杨德仁院士为本次会议专家组组长。
上海光机所副所长、杭州光机所理事长张龙研究员代表项目承担单位致欢迎词，感谢各位专家不辞辛劳，从全国各地来参加此次会议，并简要介绍了杭州光机所的总体情况。项目负责人齐红基研究员汇报了项目总体实施方案及各课题的研究内容、研究目标、实施方案等。
项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求，以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制，微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础，突破 6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术，研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。
本项目的实施将打通氧化镓材料、外延到器件的全链路，研究成果有望逐步应用于电动汽车、光伏变电、舰艇综合电力、雷达探测、日盲紫外预警及环境监测等方向，对推动相关产业的技术创新、产业结构优化和经济发展具有积极的意义。同时也有助于打破国外相关技术封锁，提升我国在该领域日趋激烈的国际竞争中的地位，推动我国在宽禁带半导体领域的发展。
与会专家认真听取和充分论证了项目实施方案，并给予了充分肯定，对项目研究目标、研究内容及各课题间协调统筹、合作交流等方面提出了具有建设性的指导意见。专家组经过质询讨论后，一致同意通过项目实施方案论证。
会议期间，张龙副所长带领专家和项目组代表参观了杭州光机所并介绍了富加镓业发展情况，杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光机所第一批孵化企业，在这三年期间公司专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力。并申请中国发明专利共8项，实用新型25项，国际PCT专利1项（掺杂氧化镓晶态材料及其制备方法和应用，WO2018137673A1），申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。
