杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作。产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。已经获得国际专利授权12项(美国6项，日本6项)，国内专利授权37项，“富加镓业”富加”商标认证注册3项，晶体生长控制软件著作权2项。

公司专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力。

公司研制的氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，技术团队是我国最早从事氧化镓晶体生长团队之一，从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。相关研究已得到装发部预研基金、共用技术、国家自然科学基金、上海市科技攻关重点项目等的大力支持，累计获得资助近2000万元，在Journal of Alloys and Compounds、ACS Applied Materials & Interfaces、Nanoscale Research Letters、 Journal of Applied Physics、Journal of Inorganic Materials等国内外刊物上发表学术论文28篇，申请中国发明专利共5项，国际PCT专利1项（掺杂氧化镓晶态材料及其制备方法和应用，WO2018137673A1），申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。

以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作在40GHz等优点，是5G基站攻略放大器的首选材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展。

（1）公司主要业务范围、产品

光电子及其他电子器件制造、销售；半导体分立器件制造、销售；半导体器件专用设备制造、销售；集成电路设计、制造及销售；电子专用材料研发、制造及销售；电子元器件制造、批发及零售；稀土功能材料销售；功能玻璃和新型光学材料销售；产品设计；软件开发；工程和技术研究和试验发展；新材料技术推广服务；信息技术咨询服务；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

（2）公司主要目标、理念、宗旨

公司致力于开发氧化镓单晶半导体材料，依靠高效的专业技术团队，不断创新，提升大尺寸氧化镓单晶制备技术能力及产业化能力，满足电动汽车、光伏逆变器、高铁输电等诸多领域对高压大功率器件的需求及5G通讯等领域对射频器件的材料需求，形成国际上有影响力的氧化镓半导体晶圆供应商。在经营过程中，注重技术提升和产品开发、市场开拓、团队及平台建设、建立相对完整产业链，打造具有国际影响力的氧化镓晶圆供应商。