利用导模法(EFG)生长的半绝缘型及导电型Ga₂O₃晶体，加工得到2英寸氧化镓衬底。

关键指标

1.双晶摇摆半高宽:≤350"

2.载流子浓度:1x10¹⁶~10¹⁹cm^-3

3.位错密度:< 1x10⁴cm^-2

4.晶面偏差:<±1°

5.粗糙度:Ras≤0.5nm