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氧化镓衬底

VB衬底

利用垂直布里奇曼法（VB）生长的4英寸单晶晶圆（100）

关键指标

1.双晶摇摆半高宽:≤350"

2.晶面偏差:<±1°

3.粗糙度:Ra≤1nm