行业动态 / Industry News
行业动态
  • 氧化镓的光辉潜力

    美国国家能源可再生实验室高级工程师兼分析师Samantha Reese和科学家Andriy Zakutayev认为,由于衬底制造成本可与蓝宝石相媲美,而且超宽禁带有助于提高性能,氧化镓功率器件有可能通过提供更好的经济效益来取代那些由SiC和GaN制成的器件。 采访:RICHARD STEVEN ... 2020-07-28

  • 【深度报告】一文了解氧化镓材料的发展机遇与挑战

    【深度报告】一文了解氧化镓材料的发展机遇与挑战 来源:宇文戬 本文由进化半导体材料有限公司供稿 目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体受到广泛的关注,人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合,以及GaN在快充领域的应用前景寄予厚 ... 2021-02-05

  • 中国半导体行业水平离世界先进还有多远? (篇一)

    近几年,半导体这门专业性极强的产业逐渐进入了大众视野,大家开始广泛地探讨集成电路、芯片、晶圆代工等半导体产业类目,也意识到进一步发展中国半导体的重要性。 2020-07-21

  • 中国半导体行业水平离世界先进还有多远?(篇二)

    中国半导体距离世界先进的差距,不仅仅在技术层面,优质的产业生态系统也是促进中国半导体发展的前提,而显然,目前中国的半导体产业系统还未完全建立起来,半导体企业良莠不齐,市场占有率、营收占比、国产替代还不尽完善。 2020-07-21

  • 中国半导体行业水平离世界先进还有多远?(篇三)

    近几年,中国半导体产业进入了高速发展期,自主创新,摆脱西方发达国家的制约,一直是中国半导体业界的心愿。究竟中国的半导体距离世界强国还有多远? 2020-07-21

  • 中国半导体行业水平离世界先进还有多远? (篇四)

    了解了中国与世界先进国家半导体之间的差距,也许不少人都汗颜,我们的半导体真这么差吗? 也许用一句诗可以概括大家的心境:不识庐山真面目,只缘身在此山中。的确,中国半导体的技术近几年取得了不俗的成绩,尤其在IC设计和封测方面,但是在基础的半导体材料和设备方面差距依旧很大。 造成中国半导体如今的困境, ... 2020-08-20

  • 中国半导体行业水平离世界先进还有多远?(篇五)

    终于到了这个系列的最终篇了,这段时间,随着文章的更新,相信各位和小编一样,对中国半导体的行业水平有了更深入的了解。完结篇讲述了中国半导体的发展之路该如何走,希望大家继续走进中国半导体的世界,感受中国半导体的风云变幻! 所谓知耻而后勇,正是目前中国半导体产业应该做的,当然我们也正在这么做。西方国家的 ... 2020-08-20

  • SEMICON China 2020开幕主题演讲(Grand Opening)探索防疫常态化下产业新机遇

    作为SEMICON China半导体年度盛会中最不容错过的内容,开幕主题演讲(Grand Opening)于6月27日正式拉开帷幕。Grand Opening汇集了全球顶级行业领袖,分享全球业界领袖智慧和视野,是了解全球产业格局、前沿技术与市场走势的好机会。 2020-07-29

  • 汽车功率半导体将迎变革,现在布局SiC还有“上车”机会吗?

    集微网消息 新能源汽车、通讯设备等产业链发展迅猛,对功率半导体需求大增,尤其是以SiC和GaN等为代表的第三代功率半导体的需求。据 Yole 指出,SiC 最大的应用市场来自汽车,利用 SiC 的解决方案可使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密。而随着SiC成本逐渐降低以及应用不断拓宽,未来市场发展 ... 2020-07-29

  • 第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN 的研究现状

    https://mp.weixin.qq.com/s/us4534LrE04hQlJOo-1-pQ 2020-07-28

  • 为什么做高纯半绝缘碳化硅

    碳化硅系列第26篇如果感觉文章很长那是我们要走很远选用SiC作为射频器件的衬底,要求SiC是半绝缘型的,电阻率最好要大于10^6 Ω·cm。其实,碳化硅的电阻率应该是非常高的,但是由于有杂质等缺陷,碳化硅的电阻率下降了。根据提高电阻率的原理,半绝缘碳化硅有两类:掺杂半绝缘,进一步引入杂质V,补偿N、 ... 2020-07-21

  • 解析GaN和SiC功率半导体市场格局的变化

    到2021年,由于混合动力和电动汽车,电源和光伏(PV)逆变器的需求,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场预计将突破10亿美元。 根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元 ... 2020-07-21

  • GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?

    氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适合于高 ... 2020-07-21