氧化镓材料生长(导模法) / Growth of gallium oxide material(guided mode meth)
氧化镓材料生长(导模法)

  导模法(Edge-defined film-fed growth method)是一种重要的晶体生长方法,具有近尺寸生长、异形晶体生长、生长速度快、生长成本低等优点,作为传统提拉法(Czochralski method)的一种延伸和补充,实际操作中可以将传统提拉法晶体生长炉改造后使用,常用于闪烁晶体材料、半导体晶体材料的生长。

  导模法在氧化镓晶体生长方面优势明显,富加镓业导模法长晶工艺可以有效抑制晶体生长过程中氧化镓原料的分解和挥发,理论上可生长大尺寸氧化镓晶体。

  同时,富加镓业技术团队拥有较强的提拉法生长技术工艺,运用提拉法也在生长激光晶体(如YAG及系列掺质YAG晶体、YAP晶体等)、闪烁晶体等光电功能晶体材料,为光电行业提供材料支撑。